Przerzutnik bistabilny

przerzutnik bistabilny - dwustanowy układ tranzystorowy, stanowiący podstawę budowy pojedynczych komórek w niektórych rodzajach pamięci półprzewodnikowych (SRAM); w odpowiedzi na kolejne impulsy na wejściu p.b., na jego wyjściu pojawia się kolejno napięcie wysokie (np. 5 V) reprezentujące "stan wysoki" czyli 1, lub "stan niski" czyli 0; w zależności od technologii wykonania pamięci SRAM, przerzutnik składa się z 4 (NMOS) lub 6 (CMOS RAM) tranzystorów.