Przerzutnik bistabilny: Różnice pomiędzy wersjami

Z DisWiki
Przejdź do nawigacji Przejdź do wyszukiwania
(k)
(d)
 
Linia 1: Linia 1:
'''przerzutnik bistabilny''' - dwustanowy układ tranzystorowy,  stanowiący podstawę budowy pojedynczych komórek w  niektórych rodzajach pamięci półprzewodnikowych ([[SRAM|SRAM]]); w  odpowiedzi na kolejne impulsy na wejściu p.b., na jego  wyjściu pojawia się kolejno napięcie wysokie (np. 5 V)  reprezentujące "stan wysoki" czyli 1, lub "stan niski" czyli  0; w zależności od technologii wykonania pamięci SRAM,  przerzutnik składa się z 4 (NMOS) lub 6 ([[CMOS RAM|CMOS RAM]]) tranzystorów.
+
'''przerzutnik bistabilny''' - dwustanowy układ tranzystorowy,  stanowiący podstawę budowy pojedynczych komórek w  niektórych rodzajach pamięci półprzewodnikowych ([[SRAM|SRAM]]); w  odpowiedzi na kolejne impulsy na wejściu p.b., na jego  wyjściu pojawia się kolejno napięcie wysokie (np. 5 V)  reprezentujące "stan wysoki" czyli 1, lub "stan niski" czyli  0; w zależności od technologii wykonania pamięci SRAM,  przerzutnik składa się z 4 (NMOS) lub 6 ([[CMOS]]) tranzystorów.
 
[[Kategoria:terminologia IT]]
 
[[Kategoria:terminologia IT]]

Aktualna wersja na dzień 00:24, 22 paź 2012

przerzutnik bistabilny - dwustanowy układ tranzystorowy, stanowiący podstawę budowy pojedynczych komórek w niektórych rodzajach pamięci półprzewodnikowych (SRAM); w odpowiedzi na kolejne impulsy na wejściu p.b., na jego wyjściu pojawia się kolejno napięcie wysokie (np. 5 V) reprezentujące "stan wysoki" czyli 1, lub "stan niski" czyli 0; w zależności od technologii wykonania pamięci SRAM, przerzutnik składa się z 4 (NMOS) lub 6 (CMOS) tranzystorów.