Przerzutnik bistabilny: Różnice pomiędzy wersjami
Przejdź do nawigacji
Przejdź do wyszukiwania
(n) |
(k) |
||
| Linia 1: | Linia 1: | ||
'''przerzutnik bistabilny''' - dwustanowy układ tranzystorowy, stanowiący podstawę budowy pojedynczych komórek w niektórych rodzajach pamięci półprzewodnikowych ([[SRAM|SRAM]]); w odpowiedzi na kolejne impulsy na wejściu p.b., na jego wyjściu pojawia się kolejno napięcie wysokie (np. 5 V) reprezentujące "stan wysoki" czyli 1, lub "stan niski" czyli 0; w zależności od technologii wykonania pamięci SRAM, przerzutnik składa się z 4 (NMOS) lub 6 ([[CMOS RAM|CMOS RAM]]) tranzystorów. | '''przerzutnik bistabilny''' - dwustanowy układ tranzystorowy, stanowiący podstawę budowy pojedynczych komórek w niektórych rodzajach pamięci półprzewodnikowych ([[SRAM|SRAM]]); w odpowiedzi na kolejne impulsy na wejściu p.b., na jego wyjściu pojawia się kolejno napięcie wysokie (np. 5 V) reprezentujące "stan wysoki" czyli 1, lub "stan niski" czyli 0; w zależności od technologii wykonania pamięci SRAM, przerzutnik składa się z 4 (NMOS) lub 6 ([[CMOS RAM|CMOS RAM]]) tranzystorów. | ||
| + | [[Kategoria:terminologia IT]] | ||
Wersja z 23:01, 14 cze 2012
przerzutnik bistabilny - dwustanowy układ tranzystorowy, stanowiący podstawę budowy pojedynczych komórek w niektórych rodzajach pamięci półprzewodnikowych (SRAM); w odpowiedzi na kolejne impulsy na wejściu p.b., na jego wyjściu pojawia się kolejno napięcie wysokie (np. 5 V) reprezentujące "stan wysoki" czyli 1, lub "stan niski" czyli 0; w zależności od technologii wykonania pamięci SRAM, przerzutnik składa się z 4 (NMOS) lub 6 (CMOS RAM) tranzystorów.
