Przerzutnik bistabilny: Różnice pomiędzy wersjami
Przejdź do nawigacji
Przejdź do wyszukiwania
(n) |
(d) |
||
| (Nie pokazano 1 pośredniej wersji utworzonej przez tego samego użytkownika) | |||
| Linia 1: | Linia 1: | ||
| − | '''przerzutnik bistabilny''' - dwustanowy układ tranzystorowy, stanowiący podstawę budowy pojedynczych komórek w niektórych rodzajach pamięci półprzewodnikowych ([[SRAM|SRAM]]); w odpowiedzi na kolejne impulsy na wejściu p.b., na jego wyjściu pojawia się kolejno napięcie wysokie (np. 5 V) reprezentujące "stan wysoki" czyli 1, lub "stan niski" czyli 0; w zależności od technologii wykonania pamięci SRAM, przerzutnik składa się z 4 (NMOS) lub 6 ([[CMOS | + | '''przerzutnik bistabilny''' - dwustanowy układ tranzystorowy, stanowiący podstawę budowy pojedynczych komórek w niektórych rodzajach pamięci półprzewodnikowych ([[SRAM|SRAM]]); w odpowiedzi na kolejne impulsy na wejściu p.b., na jego wyjściu pojawia się kolejno napięcie wysokie (np. 5 V) reprezentujące "stan wysoki" czyli 1, lub "stan niski" czyli 0; w zależności od technologii wykonania pamięci SRAM, przerzutnik składa się z 4 (NMOS) lub 6 ([[CMOS]]) tranzystorów. |
| + | [[Kategoria:terminologia IT]] | ||
Aktualna wersja na dzień 00:24, 22 paź 2012
przerzutnik bistabilny - dwustanowy układ tranzystorowy, stanowiący podstawę budowy pojedynczych komórek w niektórych rodzajach pamięci półprzewodnikowych (SRAM); w odpowiedzi na kolejne impulsy na wejściu p.b., na jego wyjściu pojawia się kolejno napięcie wysokie (np. 5 V) reprezentujące "stan wysoki" czyli 1, lub "stan niski" czyli 0; w zależności od technologii wykonania pamięci SRAM, przerzutnik składa się z 4 (NMOS) lub 6 (CMOS) tranzystorów.
